SEUL, 24 jul (Xinhua) -- Samsung Electronics, el mayor fabricante mundial de chips de memoria, dijo el miércoles que comenzó la primera producción masiva del mundo de DRAM móvil, de baja potencia y doble tasa de datos 3 (LPDDR3), de tres gigabytes (GB).
El chip de memoria móvil de densidad más alta, que reúne seis chips LPDDR3 de la clase 20 nanómetros y de 4 gigabit (Gb) en un único paquete, será utilizado para teléfonos inteligentes de próxima generación, permitiendo a los usuarios disfrutar de un rendimiento similar al de los PC en sus dispositivos móviles, según un comunicado divulgado por correo electrónico.
El DRAM LPDDR3 de 3GB conecta con un procesador de aplicaciones móvil usando dos canales simétricos de transmisión de datos, cada uno conectado con una parte de almacenamiento de 1,5 GB. Dado que la actual capacidad de almacenamiento de memoria para PC es aproximadamente de 4 GB, los nuevos chips permitirán a los usuarios disfrutar de un rendimiento similar al de los PC, dijo la empresa.
El nuevo LPDDR3 ofrecerá una velocidad de transmisión de datos de hasta 2,133 megabits por segundo (Mbps) por pin, acelerando la descarga de datos.
"DRAM móvil de tres gigabyte será adoptado en los teléfonos inteligentes más modernos y de gama más alta en la segunda mitad de este año. Se trata de una adopción inicial que se expandirá a la mayoría de teléfonos inteligentes de gama alta en el mundo el año próximo", dijo Jun Young-hyun, vicepresidente ejecutivo de ventas y márketing de chips de memoria de Samsung.
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